|
PresentationsResistance of ion-exchange membrane with a charged surface-modified layerFinancial University under the Government of the Russian Federation 123995, Moscow, 38 Scherbakovskaya St., e -mail: vugr@rambler.ru 1Gubkinsky University 119991 Moscow, Leninsky Prospekt, 65 korp.1 Изучение процессов ионного переноса в поверхностно модифицированных ионообменных мембран очень актуально для дальнейшего развития электромембранных процессов разделения и очистки, производства топливных элементов, систем хранения и преобразования энергии. Поверхностно модифицированная ионообменная мембрана (МИОМ) представляет собой ионообменную мембрану (ИОМ), одна из поверхностей которой покрывается (модифицируется) заряженным слоем из другого ионопроводящего материала. Цель данной работы состоит в изучении методом математического моделирования влияния плотности зарядов фиксированных групп модифицирующего слоя (МС) и других физико-химических характеристик МИОМ на ее сопротивление. В работе с учетом ранее полученных результатов в [1-2] методом математического моделирования ионного переноса в электромембранной ячейке с раствором электролита получено аналитическое выражение омического сопротивления МИОМ в зависимости от плотности зарядов фиксированных групп МС. Установлено, что при увеличении плотности объемного заряда МС сопротивление МИОМ уменьшается, если знаки зарядов фиксированных групп МС и ИОМ одинаковы и возрастает, если они различны. Показано, что при малых концентрациях электролита сопротивление МИОМ заметно увеличивается при уменьшении концентрации электролита. При увеличении концентрации электролита сопротивление МИОМ уменьшается и выходит на плато. Результаты могут быть использованы при прогнозировании свойств новых и модифицированных ионообменных мембран. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований – грант № 20–08–00661. Литература 1.Филиппов А. Н. // Коллоид. журн. Т.78, № 3, 2016. стр. 386–395. 2.Угрозов В.В., Филиппов А. Н. // Мембраны и мембранные технологии. Т.4, № 2, 2022. стр. 127–134.
Presentation |
