Архив публикаций

Тезисы

XXIII-ая конференция

Моделирование пролета ионов через однослойный графен

Иванов А.В.

Россия, г. Чебоксары, ул. К. Маркса д. 38

В данной работе анализируется процесс динамической экранировки внешних зарядов, движущихся над поверхностью графена, расположенного на подложке. Взаимодействие заряженной частицы с цепочкой атомов исследуются различными теоретическими методами [1], такими как борновская теория возмущений, квазиклассическое приближение, классическая электродинамика. В настоящей работе используется квазиклассическое приближение.

При помощи квазиклассического приближения исследуется пролет протона в виде широкого пакета, а так же двух протонов в виде узких пакетов через однослойный графен. Рассмотрены зависимости амплитуд и фаз пакетов от прицельных расстояний. Получены интерференционные картины после взаимодействия заряженных частиц с графеном.

Л И Т Е Р А Т У Р А

1. Ахиезер А.И., Шульга Н.Ф., Трутень В.И., Гриненко А.А., Сыщенко В.В. // Успехи физических наук. 1995. №10 С. 1165.

• открыть в PDF формате (на русском языке) (PDF)